Фоторезистор — напівпровідниковий прилад, що змінює величину свого опору при опроміненні світлом. Не має p-n переходу, тому має однакову провідність незалежно від напряму протікання струму. Явище зміни електричного опору напівпровідника, обумовлене безпосередньою дією випромінювання, називають фоторезистивним ефектом, або внутрішнім фотоелектричним ефектом.
  Для виготовлення фоторезисторів використовують напівпровідникові матеріали з шириною забороненої зони, оптимальної для вирішуваної задачі. Так, для реєстрації видимого світла використовуються фоторезистори з селеніду і сульфіду кадмію, Se. Для реєстрації інфрачервоного випромінювання використовуються Ge (чистий або легований домішками Au, Cu або Zn), Si, PbS, PbSe, PbTe, InSb, InAs, HgCdTe, часто охолоджувані до низьких температур. Напівпровідник наносять у вигляді тонкого шару на скляну або кварцеву підкладку або вирізують у вигляді тонкої пластинки з монокристала. Шар або пластинку напівпровідника забезпечують двома електродами і поміщають в захисний корпус.
  Фоторезистори використовують для реєстрації слабких потоків світла, при сортуванні і рахунку готової продукції, для контролю якості і готовності найрізноманітніших деталей; у поліграфічній промисловості для виявлення обривів паперової стрічки, контролю кількості листів паперу, що подаються в друкарську машину; у медицині, сільському господарстві і інших областях.