Код | photo_camera | Remains | shopping_cart | 1 | 2 | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
024851 | Transistor N+P chanel 40V; 12/8.8A ; 50/99mOm ; 3W | всего: 298 pcs маг ДП: 298 pcs |
| NIKO-SEM | N + P | Общий сток | 40 / -40 V | 12 / -8.8 А | 26 / 47 мОм | 3 Вт | ||||
017048 | Transistor Dual N+P-Channel MOSFET 40V 16A -40V -12A | всего: 80 pcs маг ДП: 80 pcs |
| N + P | Общий сток | 40 / -40 V | 16 / -12 А | 22 / 40 мОм | 11 Вт | |||||
047737 | Transistor P-ch -40V -50A 12mOhm | всего: 180 pcs маг ДП: 180 pcs |
| UMW | P | Одиночный | -40 V | -50 А | 10.1 мОм | 69 Вт | ||||
018101 | Transistor N-ch 40V 54A Rds=8.5mOhm Logic Level | всего: 296 pcs маг ДП: 296 pcs |
| FAIRCHILD | N | Одиночный | 40 V | 54 А | 7 мОм | 44 Вт | ||||
024843 | Transistor P-ch -40V -50A 12.3mOhm | всего: 211 pcs маг ДП: 211 pcs |
| ONS | P | Одиночный | -40 V | -58 А | 12.3 мОм | 69 Вт | ||||
041014 | Transistor | всего: 100 pcs маг ДП: 100 pcs |
| NCE | N | Одиночный | 40 V | 60 А | 7.3 мОм | 65 Вт | ||||
035533 | Transistor N-ch 40V 85A 1.6mΩ | всего: 124 pcs маг ДП: 124 pcs |
| AOS | N | Одиночный | 40 V | 85 А | 1.3 мОм | 83 Вт | ||||
041015 | Transistor | всего: 26 pcs маг ДП: 26 pcs |
| ONS | N | Одиночный | 40 V | 100 А | 1.13 мОм | 104 Вт | ||||
045922 | Transistor N-cn 40V 120A 2.7mΩ | всего: 80 pcs маг ДП: 80 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 120 А | 2.7 мОм | 105 Вт | ||||
045919 | Transistor N-ch 40V 130A 3mΩ | всего: 110 pcs маг ДП: 110 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 130 А | 3 мОм | 105 Вт | ||||
045921 | Transistor N-ch 40V 130A 3mΩ | всего: 118 pcs маг ДП: 118 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 130 А | 3 мОм | 105 Вт | ||||
016579 | Transistor N-ch 40V 202A Rds=4mOhm | всего: 480 pcs маг ДП: 480 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 202 А | 3.5 мОм | 333 Вт | ||||
039305 | Transistor | всего: 63 pcs маг ДП: 63 pcs |
| INFINEON | N | Одиночный | 40 V | 204 А | 1.6 мОм | 125 Вт | ||||
015936 | Transistor VDSS = 40V RDS(on) = 3.6mΩ ID = 210A | всего: 60 pcs маг ДП: 60 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 210 А | 3 мОм | 330 Вт | ||||
045176 | Transistor N-ch 40V 250A 2.3mΩ | всего: 84 pcs маг ДП: 84 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 2.3 мОм | 288 Вт | ||||
045177 | Transistor N-ch 40V 250A 2.3mΩ | всего: 111 pcs маг ДП: 111 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 2.3 мОм | 288 Вт | ||||
045178 | Transistor N-ch 40V 250A 2mΩ | всего: 43 pcs маг ДП: 43 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 2 мОм | 336 Вт | ||||
047521 | Transistor N-ch 40V 290A 1.2mΩ | всего: 129 pcs маг ДП: 129 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 1.2 мОм | 250 Вт | ||||
025096 | Transistor N-Channel MOSFET 40V, 75A, 2mΩ | всего: 101 pcs маг ДП: 101 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 270 А | 1.5 мОм | 300 Вт | ||||
009891 | Transistor N-ch Vds=40V Id25=75A Rds=2mOhm | всего: 126 pcs маг ДП: 126 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 280 А | 1.5 мОм | 330 Вт | ||||
038315 | Transistor N-Channel 40V 300A 429W | всего: 8 pcs маг ДП: 8 pcs |
| INFINEON | N | Одиночный | 40 V | 300 А | 0.53 мОм | 429 Вт | ||||
024166 | Transistor N-ch Vds=40V Id25=195A Rds=1.4mOhm | всего: 82 pcs маг ДП: 82 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 340 А | 1.4 мОм | 380 Вт | ||||
024270 | Transistor N-ch Vds=40V Id25=195A Rds=1.35mOhm | всего: 36 pcs маг ДП: 36 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 350 А | 1.35 мОм | 380 Вт | ||||
045924 | Transistor N-Channel 40V 350A 0.82mΩ | всего: 135 pcs маг ДП: 135 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 350 А | 0.82 мОм | 250 Вт | ||||
039349 | Transistor N CH 40V 195A 1.3mOhm | всего: 100 pcs маг ДП: 100 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 404 А | 1 мОм | 366 Вт | ||||
033345 | Transistor N CH 40V 195A 1.3mOhm | всего: 51 pcs маг ДП: 51 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 409 А | 1 мОм | 375 Вт | ||||
047722 | Transistor N-ch 40V 600A 0.45mΩ | всего: 100 pcs маг ДП: 100 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 600 А | 0.45 мОм | 428 Вт | ||||
010124 | Transistor P-Channel 45V 230mA 700mW RdsOn(Max) 14 Ohm | всего: 83 pcs маг ДП: 83 pcs |
| DIODES | P | Одиночный | -45 V | -0.23 А | 14 Ом | 0.7 Вт | ||||
010126 | Transistor N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Vdss = 50 V; RDS (ON) = 3.5Ω @ VGS = 10 V; RDS (ON) = 6.0Ω @ VGS = 4.5 V. | всего: 4795 pcs маг ДП: 4795 pcs |
| LRC | N | Одиночный | 50 V | 0.2 А | 3.5 Ом | 0.225 Вт | ||||
029849 | Transistor N-ch Vds=55V Id25=2A Rds=0.14Ohm | всего: 131 pcs маг ДП: 131 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 2.8 А | 0.14 Ом | 2.1 Вт | ||||
006344 | Transistor N-Channel MOSFET VDSS=55V RDS(on) max=65mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=3.1A | всего: 182 pcs маг ДП: 182 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 4.4 А | 65 мОм | 2.1 Вт | ||||
026159 | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -12A, 0.175Ω | всего: 266 pcs маг ДП: 266 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -12 А | 0.175 Ом | 45 Вт | ||||
026846 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 17A, 0.065Ω | всего: 247 pcs маг ДП: 247 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 17 А | 65 мОм | 45 Вт | ||||
024171 | Transistor N-LogL 55V 18A 45W 0.06R | всего: 202 pcs маг ДП: 202 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 18 А | 60 мОм | 45 Вт | ||||
029172 | Transistor P-ch Vds=-55V Id25=-18A Rds=0.11Ohm | всего: 137 pcs маг ДП: 137 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -18 А | 0.11 Ом | 57 Вт | ||||
026158 | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -19A, 0.1Ω | всего: 500 pcs маг ДП: 500 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -19 А | 0.1 Ом | 68 Вт | ||||
025109 | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -20A, 0.093Ω | всего: 230 pcs маг ДП: 230 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -20 А | 93 мОм | 79 Вт | ||||
049205 | Transistor P-ch Vds=-55V Id25=-20A Rds=60mOhm | всего: 100 pcs маг ДП: 100 pcs |
| JSMSEMI | P | Одиночный | -55 V | -20 А | 60 мОм | 110 Вт | ||||
033776 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 25A, 37mΩ | всего: 157 pcs маг ДП: 157 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 25 А | 30 мОм | 57 Вт | ||||
026153 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 29A, 0.04Ω | всего: 252 pcs маг ДП: 252 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 29 А | 40 мОм | 68 Вт | ||||
024280 | Transistor N-ch 55V 30A 35mOhm Logic level | всего: 8 pcs маг ДП: 8 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 30 А | 35 мОм | 68 Вт | ||||
030589 | Transistor P-ch Vds=-55V Id25=-31A Rds=60mOhm | всего: 21 pcs маг ДП: 21 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -31 А | 60 мОм | 110 Вт | ||||
010047 | Transistor N-ch Vds=55V Id25=42A Rds=27mOhm | всего: 205 pcs маг ДП: 205 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 42 А | 27 мОм | 110 Вт | ||||
025997 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 47A, 0.022Ω | всего: 270 pcs маг ДП: 270 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 47 А | 22 мОм | 110 Вт | ||||
024275 | Transistor N-Channel Field Effect Transistor Vdss = 55V; Rds = 0.0175 Ohm; Id25°C = 49 A; Id100°C = 35 A; R°C/W = 1.4°C/W; Pd = 110W | всего: 1173 pcs маг ДП: 173 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 49 А | 17.5 мОм | 94 Вт | ||||
030586 | Transistor N-ch Vds=55V Id25=49A Rds=17.5mOhm | всего: 85 pcs маг ДП: 85 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 49 А | 17.5 мОм | 94 Вт | ||||
025103 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 53A, 16.5mΩ | всего: 105 pcs маг ДП: 105 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 53 А | 16.5 мОм | 107 Вт | ||||
041626 | Transistor N-CH 55V 42A 11 mOhm @ 37A, 10V | всего: 157 pcs маг ДП: 157 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 62 А | 8.86 мОм | 91 Вт | ||||
025104 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 64A, 14mΩ | всего: 276 pcs маг ДП: 276 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 64 А | 14 мОм | 130 Вт | ||||
005935 | Transistor P-ch Vds= -55V Id25= -42A Rds=20mOhm | всего: 88 pcs маг ДП: 88 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -70 А | 20 мОм | 170 Вт |