Код | photo_camera | Remains | shopping_cart | 1 | 2 | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
024276 | ![]() | Transistor Field-effect transistor N-Channel Logic level Vdss = 40 V; Rds = 56 mΩ; Id25°C = 3.6 A; Id70°C = 2.9 A; R°C/W = 100°C/W; Pd = 1.3W | всего: 724 pcs маг ДП: 724 pcs |
| INFINEON | N | Одиночный | 40 V | 3.6 А | 78 мОм | 1.3 Вт | |||
024851 | ![]() | Transistor N+P chanel 40V; 12/8.8A ; 50/99mOm ; 3W | всего: 100 pcs маг ДП: 100 pcs |
| NIKO-SEM | N + P | Общий сток | 40 / -40 V | 12 / -8.8 А | 26 / 47 мОм | 3 Вт | |||
017048 | ![]() | Transistor Dual N+P-Channel MOSFET 40V 16A -40V -12A | всего: 103 pcs маг ДП: 103 pcs |
| N + P | Общий сток | 40 / -40 V | 16 / -12 А | 22 / 40 мОм | 11 Вт | ||||
047737 | ![]() | Transistor P-ch -40V -50A 12mOhm | всего: 233 pcs маг ДП: 233 pcs |
| UMW | P | Одиночный | -40 V | -50 А | 10.1 мОм | 69 Вт | |||
018101 | ![]() | Transistor N-ch 40V 54A Rds=8.5mOhm Logic Level | всего: 299 pcs маг ДП: 299 pcs |
| FAIRCHILD | N | Одиночный | 40 V | 54 А | 7 мОм | 44 Вт | |||
024843 | ![]() | Transistor P-ch -40V -50A 12.3mOhm | всего: 234 pcs маг ДП: 234 pcs |
| ONS | P | Одиночный | -40 V | -58 А | 12.3 мОм | 69 Вт | |||
041014 | ![]() | Transistor | всего: 242 pcs маг ДП: 242 pcs |
| NCE | N | Одиночный | 40 V | 60 А | 7.3 мОм | 65 Вт | |||
041015 | ![]() | Transistor | всего: 41 pcs маг ДП: 41 pcs |
| ONS | N | Одиночный | 40 V | 100 А | 1.13 мОм | 104 Вт | |||
045922 | ![]() | Transistor N-cn 40V 120A 2.7mΩ | всего: 103 pcs маг ДП: 103 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 120 А | 2.7 мОм | 105 Вт | |||
045919 | ![]() | Transistor N-ch 40V 130A 3mΩ | всего: 115 pcs маг ДП: 115 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 130 А | 3 мОм | 105 Вт | |||
045921 | ![]() | Transistor N-ch 40V 130A 3mΩ | всего: 128 pcs маг ДП: 128 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 130 А | 3 мОм | 105 Вт | |||
024259 | ![]() | Transistor N-ch Vds=40V Id25=120A Rds=2mOhm | всего: 70 pcs маг ДП: 70 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 172 А | 2 мОм | 143 Вт | |||
016579 | ![]() | Transistor N-ch 40V 202A Rds=4mOhm | всего: 474 pcs маг ДП: 474 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 202 А | 3.5 мОм | 333 Вт | |||
039305 | ![]() | Transistor | всего: 68 pcs маг ДП: 68 pcs |
| INFINEON | N | Одиночный | 40 V | 204 А | 1.6 мОм | 125 Вт | |||
015936 | ![]() | Transistor VDSS = 40V RDS(on) = 3.6mΩ ID = 210A | всего: 76 pcs маг ДП: 76 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 210 А | 3 мОм | 330 Вт | |||
042156 | ![]() | Transistor N-ch 40V 210A 2.2mΩ | всего: 293 pcs маг ДП: 293 pcs |
| NCE | N | Одиночный | 40 V | 210 А | 1.6 мОм | 310 Вт | |||
045176 | ![]() | Transistor N-ch 40V 250A 2.3mΩ | всего: 170 pcs маг ДП: 170 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 2.3 мОм | 288 Вт | |||
045177 | ![]() | Transistor N-ch 40V 250A 2.3mΩ | всего: 121 pcs маг ДП: 121 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 2.3 мОм | 288 Вт | |||
045178 | ![]() | Transistor N-ch 40V 250A 2mΩ | всего: 43 pcs маг ДП: 43 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 2 мОм | 336 Вт | |||
047521 | ![]() | Transistor N-ch 40V 290A 1.2mΩ | всего: 21 pcs маг ДП: 21 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 1.2 мОм | 250 Вт | |||
025096 | ![]() | Transistor N-Channel MOSFET 40V, 75A, 2mΩ | всего: 103 pcs маг ДП: 103 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 270 А | 1.5 мОм | 300 Вт | |||
009891 | ![]() | Transistor N-ch Vds=40V Id25=75A Rds=2mOhm | всего: 127 pcs маг ДП: 127 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 280 А | 1.5 мОм | 330 Вт | |||
038315 | ![]() | Transistor N-Channel 40V 300A 429W | всего: 8 pcs маг ДП: 8 pcs |
| INFINEON | N | Одиночный | 40 V | 300 А | 0.53 мОм | 429 Вт | |||
024166 | ![]() | Transistor N-ch Vds=40V Id25=195A Rds=1.4mOhm | всего: 82 pcs маг ДП: 82 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 340 А | 1.4 мОм | 380 Вт | |||
024532 | ![]() | Transistor N-Channel MOSFET 40V, 195A, 1.4mΩ, Logic-level | всего: 25 pcs маг ДП: 25 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 343 А | 1.4 мОм | 375 Вт | |||
024270 | ![]() | Transistor N-ch Vds=40V Id25=195A Rds=1.35mOhm | всего: 36 pcs маг ДП: 36 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 350 А | 1.35 мОм | 380 Вт | |||
045924 | ![]() | Transistor N-Channel 40V 350A 0.82mΩ | всего: 42 pcs маг ДП: 42 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 350 А | 0.82 мОм | 250 Вт | |||
033345 | ![]() | Transistor N CH 40V 195A 1.3mOhm | всего: 29 pcs маг ДП: 29 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 409 А | 1 мОм | 375 Вт | |||
010124 | ![]() | Transistor P-Channel 45V 230mA 700mW RdsOn(Max) 14 Ohm | всего: 105 pcs маг ДП: 105 pcs |
| DIODES | P | Одиночный | -45 V | -0.23 А | 14 Ом | 0.7 Вт | |||
010126 | ![]() | Transistor N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Vdss = 50 V; RDS (ON) = 3.5Ω @ VGS = 10 V; RDS (ON) = 6.0Ω @ VGS = 4.5 V. | всего: 5855 pcs маг ДП: 5855 pcs |
| LRC | N | Одиночный | 50 V | 0.2 А | 3.5 Ом | 0.225 Вт | |||
029849 | ![]() | Transistor N-ch Vds=55V Id25=2A Rds=0.14Ohm | всего: 331 pcs маг ДП: 331 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 2.8 А | 0.14 Ом | 2.1 Вт | |||
006344 | ![]() | Transistor N-Channel MOSFET VDSS=55V RDS(on) max=65mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=3.1A | всего: 235 pcs маг ДП: 235 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 4.4 А | 65 мОм | 2.1 Вт | |||
026159 | ![]() | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -12A, 0.175Ω | всего: 280 pcs маг ДП: 280 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -12 А | 0.175 Ом | 45 Вт | |||
024832 | ![]() | Transistor 55V 17A 45W 0.07R | всего: 76 pcs маг ДП: 76 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 17 А | 70 мОм | 45 Вт | |||
026846 | ![]() | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 17A, 0.065Ω | всего: 323 pcs маг ДП: 323 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 17 А | 65 мОм | 45 Вт | |||
024171 | ![]() | Transistor N-LogL 55V 18A 45W 0.06R | всего: 207 pcs маг ДП: 207 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 18 А | 60 мОм | 45 Вт | |||
029172 | ![]() | Transistor P-ch Vds=-55V Id25=-18A Rds=0.11Ohm | всего: 137 pcs маг ДП: 137 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -18 А | 0.11 Ом | 57 Вт | |||
026158 | ![]() | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -19A, 0.1Ω | всего: 135 pcs маг ДП: 135 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -19 А | 0.1 Ом | 68 Вт | |||
025109 | ![]() | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -20A, 0.093Ω | всего: 230 pcs маг ДП: 230 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -20 А | 93 мОм | 79 Вт | |||
033776 | ![]() | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 25A, 37mΩ | всего: 157 pcs маг ДП: 157 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 25 А | 30 мОм | 57 Вт | |||
026153 | ![]() | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 29A, 0.04Ω | всего: 261 pcs маг ДП: 261 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 29 А | 40 мОм | 68 Вт | |||
024280 | ![]() | Transistor N-ch 55V 30A 35mOhm Logic level | всего: 179 pcs маг ДП: 179 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 30 А | 35 мОм | 68 Вт | |||
025097 | ![]() | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -31A, 0.06Ω | всего: 81 pcs маг ДП: 81 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -31 А | 60 мОм | 110 Вт | |||
025102 | ![]() | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -31A, 0.065Ω | всего: 300 pcs маг ДП: 300 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -31 А | 65 мОм | 110 Вт | |||
030589 | ![]() | Transistor P-ch Vds=-55V Id25=-31A Rds=60mOhm | всего: 43 pcs маг ДП: 43 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -31 А | 60 мОм | 110 Вт | |||
010047 | ![]() | Transistor N-ch Vds=55V Id25=42A Rds=27mOhm | всего: 485 pcs маг ДП: 485 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 42 А | 27 мОм | 110 Вт | |||
025997 | ![]() | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 47A, 0.022Ω | всего: 289 pcs маг ДП: 289 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 47 А | 22 мОм | 110 Вт | |||
024275 | ![]() | Transistor N-Channel Field Effect Transistor Vdss = 55V; Rds = 0.0175 Ohm; Id25°C = 49 A; Id100°C = 35 A; R°C/W = 1.4°C/W; Pd = 110W | всего: 2054 pcs маг ДП: 54 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 49 А | 17.5 мОм | 94 Вт | |||
030586 | ![]() | Transistor N-ch Vds=55V Id25=49A Rds=17.5mOhm | всего: 85 pcs маг ДП: 85 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 49 А | 17.5 мОм | 94 Вт | |||
025103 | ![]() | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 53A, 16.5mΩ | всего: 114 pcs маг ДП: 114 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 53 А | 16.5 мОм | 107 Вт |