Код | photo_camera | Remains | shopping_cart | 1 | 2 | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
024843 | Transistor P-ch -40V -50A 12.3mOhm | всего: 221 pcs маг ДП: 221 pcs |
| ONS | P | Одиночный | -40 V | -58 А | 12.3 мОм | 69 Вт | ||||
041014 | Transistor | всего: 199 pcs маг ДП: 199 pcs |
| NCE | N | Одиночный | 40 V | 60 А | 7.3 мОм | 65 Вт | ||||
035533 | Transistor N-ch 40V 85A 1.6mΩ | всего: 150 pcs маг ДП: 150 pcs |
| AOS | N | Одиночный | 40 V | 85 А | 1.3 мОм | 83 Вт | ||||
041015 | Transistor | всего: 31 pcs маг ДП: 31 pcs |
| ONS | N | Одиночный | 40 V | 100 А | 1.13 мОм | 104 Вт | ||||
045922 | Transistor N-cn 40V 120A 2.7mΩ | всего: 94 pcs маг ДП: 94 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 120 А | 2.7 мОм | 105 Вт | ||||
045919 | Transistor N-ch 40V 130A 3mΩ | всего: 110 pcs маг ДП: 110 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 130 А | 3 мОм | 105 Вт | ||||
045921 | Transistor N-ch 40V 130A 3mΩ | всего: 118 pcs маг ДП: 118 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 130 А | 3 мОм | 105 Вт | ||||
039305 | Transistor | всего: 63 pcs маг ДП: 63 pcs |
| INFINEON | N | Одиночный | 40 V | 204 А | 1.6 мОм | 125 Вт | ||||
015936 | Transistor VDSS = 40V RDS(on) = 3.6mΩ ID = 210A | всего: 76 pcs маг ДП: 76 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 210 А | 3 мОм | 330 Вт | ||||
042156 | Transistor N-ch 40V 210A 2.2mΩ | всего: 64 pcs маг ДП: 64 pcs |
| NCE | N | Одиночный | 40 V | 210 А | 1.6 мОм | 310 Вт | ||||
049925 | Transistor N-ch 40V 240A 1.4mΩ | всего: 82 pcs маг ДП: 82 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 240 А | 1.4 мОм | 200 Вт | ||||
045176 | Transistor N-ch 40V 250A 2.3mΩ | всего: 130 pcs маг ДП: 130 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 2.3 мОм | 288 Вт | ||||
045177 | Transistor N-ch 40V 250A 2.3mΩ | всего: 111 pcs маг ДП: 111 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 2.3 мОм | 288 Вт | ||||
045178 | Transistor N-ch 40V 250A 2mΩ | всего: 43 pcs маг ДП: 43 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 2 мОм | 336 Вт | ||||
047521 | Transistor N-ch 40V 290A 1.2mΩ | всего: 9 pcs маг ДП: 9 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 1.2 мОм | 250 Вт | ||||
025096 | Transistor N-Channel MOSFET 40V, 75A, 2mΩ | всего: 101 pcs маг ДП: 101 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 270 А | 1.5 мОм | 300 Вт | ||||
009891 | Transistor N-ch Vds=40V Id25=75A Rds=2mOhm | всего: 127 pcs маг ДП: 127 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 280 А | 1.5 мОм | 330 Вт | ||||
038315 | Transistor N-Channel 40V 300A 429W | всего: 8 pcs маг ДП: 8 pcs |
| INFINEON | N | Одиночный | 40 V | 300 А | 0.53 мОм | 429 Вт | ||||
024166 | Transistor N-ch Vds=40V Id25=195A Rds=1.4mOhm | всего: 82 pcs маг ДП: 82 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 340 А | 1.4 мОм | 380 Вт | ||||
024532 | Transistor N-Channel MOSFET 40V, 195A, 1.4mΩ, Logic-level | всего: 16 pcs маг ДП: 16 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 343 А | 1.4 мОм | 375 Вт | ||||
024270 | Transistor N-ch Vds=40V Id25=195A Rds=1.35mOhm | всего: 36 pcs маг ДП: 36 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 350 А | 1.35 мОм | 380 Вт | ||||
045924 | Transistor N-Channel 40V 350A 0.82mΩ | всего: 140 pcs маг ДП: 140 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 350 А | 0.82 мОм | 250 Вт | ||||
033345 | Transistor N CH 40V 195A 1.3mOhm | всего: 7 pcs маг ДП: 7 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 409 А | 1 мОм | 375 Вт | ||||
047722 | Transistor N-ch 40V 600A 0.45mΩ | всего: 100 pcs маг ДП: 100 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 600 А | 0.45 мОм | 428 Вт | ||||
010124 | Transistor P-Channel 45V 230mA 700mW RdsOn(Max) 14 Ohm | всего: 83 pcs маг ДП: 83 pcs |
| DIODES | P | Одиночный | -45 V | -0.23 А | 14 Ом | 0.7 Вт | ||||
010126 | Transistor N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Vdss = 50 V; RDS (ON) = 3.5Ω @ VGS = 10 V; RDS (ON) = 6.0Ω @ VGS = 4.5 V. | всего: 5135 pcs маг ДП: 5135 pcs |
| LRC | N | Одиночный | 50 V | 0.2 А | 3.5 Ом | 0.225 Вт | ||||
029849 | Transistor N-ch Vds=55V Id25=2A Rds=0.14Ohm | всего: 331 pcs маг ДП: 331 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 2.8 А | 0.14 Ом | 2.1 Вт | ||||
006344 | Transistor N-Channel MOSFET VDSS=55V RDS(on) max=65mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=3.1A | всего: 182 pcs маг ДП: 182 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 4.4 А | 65 мОм | 2.1 Вт | ||||
026159 | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -12A, 0.175Ω | всего: 269 pcs маг ДП: 269 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -12 А | 0.175 Ом | 45 Вт | ||||
026846 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 17A, 0.065Ω | всего: 303 pcs маг ДП: 303 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 17 А | 65 мОм | 45 Вт | ||||
024171 | Transistor N-LogL 55V 18A 45W 0.06R | всего: 207 pcs маг ДП: 207 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 18 А | 60 мОм | 45 Вт | ||||
029172 | Transistor P-ch Vds=-55V Id25=-18A Rds=0.11Ohm | всего: 137 pcs маг ДП: 137 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -18 А | 0.11 Ом | 57 Вт | ||||
025109 | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -20A, 0.093Ω | всего: 230 pcs маг ДП: 230 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -20 А | 93 мОм | 79 Вт | ||||
049205 | Transistor P-ch Vds=-55V Id25=-20A Rds=60mOhm | всего: 100 pcs маг ДП: 100 pcs |
| JSMSEMI | P | Одиночный | -55 V | -20 А | 60 мОм | 110 Вт | ||||
033776 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 25A, 37mΩ | всего: 157 pcs маг ДП: 157 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 25 А | 30 мОм | 57 Вт | ||||
026153 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 29A, 0.04Ω | всего: 252 pcs маг ДП: 252 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 29 А | 40 мОм | 68 Вт | ||||
024280 | Transistor N-ch 55V 30A 35mOhm Logic level | всего: 10 pcs маг ДП: 10 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 30 А | 35 мОм | 68 Вт | ||||
030589 | Transistor P-ch Vds=-55V Id25=-31A Rds=60mOhm | всего: 21 pcs маг ДП: 21 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -31 А | 60 мОм | 110 Вт | ||||
010047 | Transistor N-ch Vds=55V Id25=42A Rds=27mOhm | всего: 455 pcs маг ДП: 455 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 42 А | 27 мОм | 110 Вт | ||||
025997 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 47A, 0.022Ω | всего: 286 pcs маг ДП: 286 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 47 А | 22 мОм | 110 Вт | ||||
024275 | Transistor N-Channel Field Effect Transistor Vdss = 55V; Rds = 0.0175 Ohm; Id25°C = 49 A; Id100°C = 35 A; R°C/W = 1.4°C/W; Pd = 110W | всего: 1593 pcs маг ДП: 593 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 49 А | 17.5 мОм | 94 Вт | ||||
030586 | Transistor N-ch Vds=55V Id25=49A Rds=17.5mOhm | всего: 87 pcs маг ДП: 87 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 49 А | 17.5 мОм | 94 Вт | ||||
025103 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 53A, 16.5mΩ | всего: 110 pcs маг ДП: 110 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 53 А | 16.5 мОм | 107 Вт | ||||
041626 | Transistor N-CH 55V 42A 11 mOhm @ 37A, 10V | всего: 157 pcs маг ДП: 157 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 62 А | 8.86 мОм | 91 Вт | ||||
025104 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 64A, 14mΩ | всего: 284 pcs маг ДП: 284 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 64 А | 14 мОм | 130 Вт | ||||
005935 | Transistor P-ch Vds= -55V Id25= -42A Rds=20mOhm | всего: 88 pcs маг ДП: 88 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -70 А | 20 мОм | 170 Вт | ||||
024531 | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -42A, 20mΩ | всего: 747 pcs маг ДП: 747 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -70 А | 20 мОм | 170 Вт | ||||
004778 | Transistor P-ch Vds= -55V Id25= -74A Rds=20mOhm | всего: 1187 pcs маг ДП: 1187 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -74 А | 20 мОм | 200 Вт | ||||
025093 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 85A, 0.011Ω | всего: 137 pcs маг ДП: 137 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 85 А | 11 мОм | 180 Вт | ||||
025346 | Transistor Vdss = 55 in; Rds = 0.011 Ohm; Id25°C = 84 A; Id100°C = 60 A; R°C/W = 40°C/W; Pd= 3.8 W | всего: 93 pcs маг ДП: 93 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 85 А | 11 мОм | 180 Вт |