ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активні компоненти ↠ Транзистори, модулі ↠ IGBT транзистори і модулі

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…

Код товара:
039203

Транзистор SGT60N60FD1PN

60A，600V，Field Stop IGBT
Транзистор SGT60N60FD1PN
Корпус: TO3P
Виробник: SILAN
Товар в наявності
84,00 грн × = 84,00 грн
від 1 шт. : — 84,00 грн
від 10 шт. : — 75,60 грн ( -10,0%)
від 30 шт. : — 71,40 грн ( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр
1 шт.
Для Інтернет-Замовлень
1 шт.

Очікується: (New)

2024-12-16 [25дн.]:
150 шт.

Схожі товари

Транзистор NGTB50N60FL2WG Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 417 Вт
Транзистор FGA50T65SHD Корпус: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 319 Вт
Транзистор NGTB50N60FLWG Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 223 Вт
Транзистор FGH60N60UFD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 298 Вт
Транзистор MBQ60T65PES Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 100 А Ic100: 60 А Pd25: 428 Вт
Транзистор YGW60N65T1 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 312 Вт
Транзистор FGH60N60SFD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 378 Вт
Транзистор IKW50N60H3 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 333 Вт
Транзистор IRGP4066D-EPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 140 А Ic100: 90 А Pd25: 454 Вт
Транзистор FGH60N60SMD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 600 Вт

Технічні характеристики

Производитель SILAN
Корпус TO3P
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 120 А
Макс. ток коллектора (100°C) 60 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 38 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 321 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Изображение товара

Транзистор SGT60N60FD1PN

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.
Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

З цим товаром купують: Посмотреть больше…

Последние просмотренные товары Посмотреть Последние...




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.