ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Online store
УКР РУС ENG
Cart is empty!
CUSTOMER LOGIN

Forgot your password?
Register
Search:
arrow_drop_down
close
search Search

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

New items All New Items...

Recommended All…

Product code:
029376

Transistor FQP50N06

N-ch Vds=60V Id25=50A Rds=22mOhm
Transistor FQP50N06
Case: TO220
Manufacturer: ON Semiconductor (ONS)
In stock
54,60 UAH × = 54,60 UAH
from 1 pc : — 54,60 UAH
from 20 pcs : — 50,50 UAH ( -7,5%)
from 100 pcs : — 46,41 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
122 pcs
For Online Orders
122 pcs

Similar products

Transistor IRFZ46NPBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 55 V Id25: 53 А Rds2510V: 16.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor STP55NF06 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 60 V Id25: 50 А Rds2510V: 15 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFZ44NSTRLPBF Package: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 55 V Id25: 49 А Rds2510V: 17.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFZ48NPBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 55 V Id25: 64 А Rds2510V: 14 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor STP60NF06 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 60 V Id25: 60 А Rds2510V: 14 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFR2407TRPBF Package: DPAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 75 V Id25: 42 А Rds2510V: 21.8 мОм VGS(th): 2 ... 4 V

Specifications

Производитель ON Semiconductor (ONS)
Корпус TO220
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±25 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 50 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 35.4 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 18 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 120 Вт

Product picture

Transistor FQP50N06

Suggested replacements

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: View more…

Последние просмотренные товары Посмотреть Последние...




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.