ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активні компоненти ↠ Транзистори, модулі ↠ Польові транзистори

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…

Код товара:
004278

Транзистор STP4NK60Z

N-ch Vds=600v Id25=4a Rds=2ohmТранзистор польовий N-Канальний
Vdss = У; Rds = Ом; Id25°C = А; Id100°C = А; R°C/W = °C/Вт; Pd = Вт
Транзистор STP4NK60Z
Корпус: TO220
Виробник: ST Microelectronics (STM)
Товар в наявності
12,60 грн × = 12,60 грн
від 1 шт. : — 12,60 грн
від 20 шт. : — 11,65 грн ( -7,5%)
від 100 шт. : — 10,71 грн ( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр
235 шт.
Для Інтернет-Замовлень
235 шт.

Схожі товари

Транзистор AOU4N60 Корпус: I-PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 4 А Rds2510V: 1.8 Ом VGS(th): 3.4 ... 4.5 V
Транзистор FDPF4N60NZ Корпус: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 3.8 А Rds2510V: 1.9 Ом VGS(th): 3 ... 5 V
Транзистор FDPF5N50UT Корпус: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 500 V Id25: 4 А Rds2510V: 1.65 Ом VGS(th): 3 ... 5 V
Транзистор STD4N62K3 Корпус: DPAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 620 V Id25: 3.8 А Rds2510V: 1.7 Ом VGS(th): 3 ... 4.5 V
Транзистор STP4NK60ZFP Корпус: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 4 А Rds2510V: 1.7 Ом VGS(th): 3 ... 4.5 V

Технічні характеристики

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус TO220
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±30 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 4 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 2.5 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 1.7 Ом
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 3.75 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 3 ... 4.5 V
Мощность рассеяния при 25°C 70 Вт

Изображение товара

Транзистор STP4NK60Z

Опис товару format_size zoom_out zoom_in

Параметр Значення
Канал: N-Канальный
Логічний рівень:
Напруга пробою стік-витік, Vdss: У
Cопротивление стік-витік відкритого транзистора, Rds: Ом
Постійний струм стоку, при температурі = 25°C, Id А
Постійний струм стоку, при температурі = 100°C, Id А
Максимальний тепловий опір кристал-корпус, R°C/W: °C/Вт
Максимальна розсіювана потужність, Pd: Вт

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.
Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

З цим товаром купують: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.