ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
004278

Transistor STP4NK60Z

N-ch Vds = 600V Id25 = 4A Rds = 2Ohm Field-effect transistor N-Channel
V dss = V ; R ds = Ohm ; I d 25°C = A ; I d 100°C = A; R°C/W = °C/W; P d = W
Transistor STP4NK60Z
Корпус: TO220
Manufacturer: ST Microelectronics (STM)
In stock
12,60 UAH × = 12,60 UAH
from 1 pc : — 12,60 UAH
from 20 pcs : — 11,65 UAH ( -7,5%)
from 100 pcs : — 10,71 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
235 pcs
For Online Orders
235 pcs

Similar products

Transistor STP4NK60ZFP Package: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 4 А Rds2510V: 1.7 Ом VGS(th): 3 ... 4.5 V
Transistor AOU4N60 Package: I-PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 4 А Rds2510V: 1.8 Ом VGS(th): 3.4 ... 4.5 V
Transistor FDPF4N60NZ Package: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 3.8 А Rds2510V: 1.9 Ом VGS(th): 3 ... 5 V
Transistor FDPF5N50UT Package: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 500 V Id25: 4 А Rds2510V: 1.65 Ом VGS(th): 3 ... 5 V
Transistor STD4N62K3 Package: DPAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 620 V Id25: 3.8 А Rds2510V: 1.7 Ом VGS(th): 3 ... 4.5 V

Specifications

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус TO220
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±30 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 4 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 2.5 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 1.7 Ом
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 3.75 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 3 ... 4.5 V
Мощность рассеяния при 25°C 70 Вт

Изображение товара

Transistor STP4NK60Z

Product description format_size zoom_out zoom_in

Parameter Value
Channel: N-Канальный
Logic level:
Drain-source breakdown voltage, V dss : V
On-drain drain-source resistance, R ds : Ohm
Constant drain current, at temperature = 25°C, I d A
Permanent drain current, at temperature = 100°C, I d A
Maximum die-to-case thermal resistance, R°C/W: °C/W
Maximum power dissipation, P d : Tue

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.