ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
010088

Transistor STP6NK60ZFP

N-ch Vds=600V Id25=6A Rds=1.2Ohm
Transistor STP6NK60ZFP
Корпус: TO220F
Manufacturer: ST Microelectronics (STM)
In stock
22,05 UAH × = 22,05 UAH
from 1 pc : — 22,05 UAH
from 50 pcs : — 19,84 UAH ( -10,0%)
from 200 pcs : — 18,74 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
536 pcs
For Online Orders
536 pcs

Similar products

Transistor FDPF7N60NZ Package: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 6.5 А Rds2510V: 1.05 Ом VGS(th): 3 ... 5 V
FDD bipolar7N60NZ Package: DPAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 5.5 А Rds2510V: 1.05 Ом VGS(th): 3 ... 5 V
Transistor STP5NK60ZFP Package: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 5 А Rds2510V: 1.2 Ом VGS(th): 3 ... 4.5 V
Transistor STP6NK60Z Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 6 А Rds2510V: 1 Ом VGS(th): 3 ... 4.5 V

Specifications

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус TO220F
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±30 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 6 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 3.8 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 1 Ом
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 3.75 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 3 ... 4.5 V
Мощность рассеяния при 25°C 30 Вт

Изображение товара

Transistor STP6NK60ZFP

Предлагаемые замены

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.