ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Кошик порожній!
ВХІД ДЛЯ КЛІЄНТІВ

Забули пароль?
Зареєструватися
Пошук:

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог Активні компонентиТранзистори, модуліПольові транзистори
Код товару:
018089

Транзистор P5506HVG

Dual N-Channel MOSFET VDSS=60V RDS(on) max=55mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=4A
Транзистор P5506HVG
Корпус: SO8
Виробник: NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. (NIKO-SEM)
Товар в наявності
16,38 грн × = 16,38 грн
від 1 шт. : 16,38 грн
від 10 шт. : 15,56 грн ( -5,0%)
від 50 шт. : 13,92 грн ( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр
28 шт.
Для Інтернет-Замовлень
28 шт.

Схожі товари


Технічні характеристики

Производитель NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. (NIKO-SEM)
Корпус SO8
Структура 2 N
Схема соединения Независимые
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 60 / 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 / ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 4.5 / 4.5 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 4 / 4 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 42 / 42 мОм
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=5V 55 / 55 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 1.5 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 1 ... 2.5 V
Мощность рассеяния при 25°C 2 Вт

Технічна документація

Зображення товару

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.

Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

З цим товаром купують: Подивитися більше…