ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активні компоненти ↠ Транзистори, модулі ↠ Польові транзистори

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…

Код товара:
041354

Транзистор FDB047N10

Транзистор FDB047N10
Корпус: D2PAK
Виробник: ON Semiconductor (ONS)
Товар в наявності
178,50 грн × = 178,50 грн
від 1 шт. : — 178,50 грн
від 10 шт. : — 165,10 грн ( -7,5%)
від 50 шт. : — 151,70 грн ( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр
11 шт.
Для Інтернет-Замовлень
11 шт.

Схожі товари

Транзистор SUM70060E-GE3 Корпус: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 131 А Rds2510V: 4.6 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор HYG042N10NS1P Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 160 А Rds2510V: 3.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор HYG032N08NS1P Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 80 V Id25: 180 А Rds2510V: 3 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор CRSS038N08N Корпус: TO263 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 85 V Id25: 172 А Rds2510V: 3.2 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRFP4110PBF Корпус: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 180 А Rds2510V: 3.7 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор VS8402ATH Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 80 V Id25: 160 А Rds2510V: 4.5 мОм VGS(th): 2.6 ... 3.6 V
Транзистор CRST041N08N Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 85 V Id25: 172 А Rds2510V: 3.4 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор HYG043N10NS2P Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 164 А Rds2510V: 3.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRFS4010TRLPBF Корпус: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 180 А Rds2510V: 3.9 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор HYG042N10NS1B Корпус: TO263 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 160 А Rds2510V: 3.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор NCEP85T16 Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 85 V Id25: 160 А Rds2510V: 3.1 мОм VGS(th): 2.5 ... 4.5 V
Транзистор HYG043N10NS2B Корпус: TO263 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 164 А Rds2510V: 3.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRFP4310ZPBF Корпус: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 134 А Rds2510V: 4.8 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор NCEP85T14 Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 85 V Id25: 140 А Rds2510V: 3.6 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор HY3810P Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 180 А Rds2510V: 5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор HYG050N08NS1P Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 80 V Id25: 130 А Rds2510V: 4 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор HYG035N10NS2P Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 180 А Rds2510V: 3.2 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор NCE82H140 Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 82 V Id25: 140 А Rds2510V: 4.3 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор CRSS037N10N Корпус: TO263 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 183 А Rds2510V: 3 мОм VGS(th): 2 ... 4 V

Технічні характеристики

Производитель ON Semiconductor (ONS)
Корпус D2PAK
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 164 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 116 А
Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса 120 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 3.9 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 3.5 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2.5 ... 4.5 V
Мощность рассеяния при 25°C 375 Вт

Технічна документація

Файл с описаниемФайл с описанием (560Kb)

Изображение товара

Транзистор FDB047N10

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.
Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

З цим товаром купують: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.