Транзистор BSS138

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Vdss = 50 В; RDS(ON) = 1.1Ω @ VGS = 10 V; RDS(ON) = 1.2Ω @ VGS = 4.5 V.

Корпус: SOT23
Виробник: Anhui FOSAN Semiconductor Technology Co., Ltd. (FOSAN)
НЕМАЄ в наявності.

Очікувана ціна: 0,58 грн

Норма відпуску: 20 шт. (Кількість, що замовляється, буде автоматично округлена до 20 шт.)

від 20 шт. :	—	0,58	грн
від 300 шт. :	—	0,522	грн	( -10,0%)
від 3000 шт. :	—	0,435	грн	( -25,0%)

Ціни вказані на момент наявності товару і можуть змінитися при його надходженні

Поточні залишки:

НЕМАЄ в наявності

Схожі товари

Корпус: SOT23 структура: N схема: Одиночний V(BR)DSS: 60 V I_d25: 0.34 А R_ds2510V: 1.3 Ом VGS(th): 1 ... 2.5 V

Транзистор 2N7002K

Код товару: 052660

0,46 грн

Залишок: 27870 шт.

Характеристики
Зображення
Документація
Відгуки-Питання

Технічні характеристики

Виробник	Anhui FOSAN Semiconductor Technology Co., Ltd. (FOSAN)
Корпус	SOT23
Структура	N
Схема з'єднання	Одиночний
V(BR)DSS - напруга пробою стік-витік	50 V
Vgs - напруга затвор-витік	±20 V
Id25 - постійний струм стоку при 25°C	0.34 А
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=10V	1.1 Ом
Rds(on)25 - опір стік-витік при 25°C, Vgs=5V	1.2 Ом
VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (типова)	1.2 V
VGS(th) - порогова напруга затвор-витік (діапазон)	0.8 ... 1.6 V
Потужність розсіювання при 25°C	0.35 Вт
Тип пакування	Стрічка на котушці
Стандартне пакування	3000 шт

Технічна документація

Файл с описанием (348Kb)

Зображення товару

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.

Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown