ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог Активні компонентиТранзистори, модуліIGBT транзистори і модулі
Код товара:
MS-STGW60H65DRF

STGW60H65DRF

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
STGW60H65DRF
Корпус: TO-247
Виробник: ST Microelectronics (STM)
НЕМАЄ в наявності.
Очікувана ціна: 506,34 грн
від 1 шт. : 506,34 грн
Ціни вказані на момент наявності товару і можуть змінитися при його надходженні

Поточні залишки:

НЕМАЄ в наявності

Технічні характеристики

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус TO-247
Мощность рассеяния при 25°C 360 Вт

Технічна документація

Изображение товара

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.

Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown