ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активні компоненти ↠ Транзистори, модулі ↠ IGBT транзистори і модулі

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…

Код товара:
033404

Транзистор GT50JR22

IGBT+Diode 600V 50A
Транзистор GT50JR22
Корпус: TO-3PN
Виробник: TOSHIBA
Товар в наявності
73,50 грн × = 73,50 грн
від 1 шт. : — 73,50 грн
від 5 шт. : — 67,99 грн ( -7,5%)
від 25 шт. : — 62,47 грн ( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр
123 шт.
Для Інтернет-Замовлень
123 шт.

Схожі товари

Транзистор STGWA19NC60HD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 52 А Ic100: 31 А Pd25: 208 Вт
Транзистор IKW30N60H3 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 187 Вт
Транзистор NCE30TD60B Корпус: TO220 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 190 Вт
Транзистор NCE30TD60BF Корпус: TO220F структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 35.5 Вт
Транзистор STGW20NC60VD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 200 Вт
Транзистор IRGP4062DPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 48 А Ic100: 24 А Pd25: 250 Вт
Транзистор IKW30N60T Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 45 А Ic100: 39 А Pd25: 187 Вт

Технічні характеристики

Производитель TOSHIBA
Корпус TO-3PN
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±25 V
Макс. ток коллектора (25°C) 50 А
Макс. ток коллектора (100°C) 44 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 40 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 350 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 230 Вт

Технічна документація

Файл с описаниемФайл с описанием (202Kb)

Изображение товара

Транзистор GT50JR22

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

  • 1 09:47 09.08.2018 share

    Здравствуйте, буду благодарен за уточнение информации о производителе и качестве данного транзистора.

    Чи корисний відгук?
    • sensrv (Менеджер интернет-магазина) 09:58 09.08.2018 share

      Здравствуйте. Производитель указан - Toshiba. Качество хорошее.

      Чи корисний відгук?
Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.
Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

З цим товаром купують: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.