ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Днепр   Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

УВАГА! Шановні клієнти магазину в м.Дніпро!

З 18.12.23 магазин в м.Дніпро за адресою вул.Новокримська 58 не працює.
Однак, наш інтернет-магазин відкритий для вас 24/7.
Усі місцеві замовлення можуть бути відправлені кур'єрськими службами.

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ IGBT transistors and modules

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
033404

Transistor GT50JR22

IGBT+Diode 600V 50A
Transistor GT50JR22
Корпус: TO-3PN
Manufacturer: TOSHIBA
In stock
56,00 UAH × = 56,00 UAH
from 1 pc : — 56,00 UAH
from 5 pcs : — 51,80 UAH ( -7,5%)
from 25 pcs : — 47,60 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
160 pcs
For Online Orders
160 pcs

Similar products

Transistor IKW30N60H3 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 187 Вт
Transistor STGWA19NC60HD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 52 А Ic100: 31 А Pd25: 208 Вт
Transistor STGW20NC60VD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 200 Вт
Transistor IRGP4062DPBF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 48 А Ic100: 24 А Pd25: 250 Вт
Transistor IKW30N60T Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 45 А Ic100: 39 А Pd25: 187 Вт
Transistor IRG4PC50UDPBF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 55 А Ic100: 27 А Pd25: 200 Вт

Specifications

Производитель TOSHIBA
Корпус TO-3PN
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±25 V
Макс. ток коллектора (25°C) 50 А
Макс. ток коллектора (100°C) 44 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 40 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 350 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 230 Вт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (202Kb)

Изображение товара

Transistor GT50JR22

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

  • 1 09:47 09.08.2018 share

    Здравствуйте, буду благодарен за уточнение информации о производителе и качестве данного транзистора.

    Is the review helpful?
    • sensrv (Менеджер интернет-магазина) 09:58 09.08.2018 share

      Здравствуйте. Производитель указан - Toshiba. Качество хорошее.

      Is the review helpful?
The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.