ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ IGBT transistors and modules

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
017363

Transistor FGA25N120ANTD

1200 V, 25 A NPT Trench IGBT
Transistor FGA25N120ANTD
Корпус: TO-3PN
Manufacturer: ON Semiconductor (ONS)
NOT available.
Expected price: 115,50 UAH
from 1 pc : — 115,50 UAH
from 10 pcs : — 106,80 UAH ( -7,5%)
from 60 pcs : — 98,17 UAH ( -15,0%)
Prices are indicated at the time of product availability and may change upon receipt

Current balances:

NOT available

Similar products

Transistor IHW30N120R3 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 349 Вт
Transistor CRG25T120BK3S Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 50 А Ic100: 25 А Pd25: 278 Вт
Transistor IRG4PH50UDPBF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 45 А Ic100: 24 А Pd25: 200 Вт
Transistor IKW25N120H3 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 50 А Ic100: 25 А Pd25: 326 Вт

Specifications

Производитель ON Semiconductor (ONS)
Корпус TO-3PN
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 1.2 kV
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 50 А
Макс. ток коллектора (100°C) 25 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 50 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 25 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 235 / 300 нс
Мощность рассеяния при 25°C 312 Вт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (1463Kb)

Изображение товара

Transistor FGA25N120ANTD

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.