Транзистор STGB19NC60KDT4

20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT

Корпус: D2PAK
Виробник: ST Microelectronics (STM)
Товар в наявності

63,00

грн

63,00

грн

від 1 шт. :	—	63,00	грн
від 10 шт. :	—	58,27	грн	( -7,5%)
від 50 шт. :	—	53,55	грн	( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр

22 шт.

Для Інтернет-Замовлень

22 шт.

Очікується: (New)

2024-11-26 [7дн.]:

50 шт.

Характеристики
Зображення
Документація
Відгуки-Питання

Технічні характеристики

Производитель	ST Microelectronics (STM)
Корпус	D2PAK
Структура	IGBT + Diode
Схема соединения	Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер	600 V
Напряжение затвор - эмиттер	±20 V
Макс. ток коллектора (25°C)	35 А
Макс. ток коллектора (100°C)	20 А
Макс. постоянный ток диода (25°С)	20 А
Время восстановления диода (25°С/tmax)	31 / 50 нс
Мощность рассеяния при 25°C	125 Вт
Рабочая температура	-55°C ... +150°C

Технічна документація

Файл с описанием (1330Kb)

Изображение товара

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.

Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…