ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активні компоненти ↠ Транзистори, модулі ↠ IGBT транзистори і модулі

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…

Код товара:
049849

Транзистор TGAN80N65F2DS

650V, 80A IGBT+DIODE
Транзистор TGAN80N65F2DS
Корпус: TO-3PN
Виробник: TRINNO
Товар в наявності
147,00 грн × = 147,00 грн
від 1 шт. : — 147,00 грн
від 10 шт. : — 136,00 грн ( -7,5%)
від 30 шт. : — 124,90 грн ( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр
120 шт.
Для Інтернет-Замовлень
120 шт.

Схожі товари

Транзистор CRG75T60AK3HD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 150 А Ic100: 75 А Pd25: 390 Вт
Транзистор NCE80TD65BT Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 160 А Ic100: 80 А Pd25: 390 Вт
Транзистор FGY75N60SMD Корпус: TO247-Super структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 150 А Ic100: 75 А Pd25: 750 Вт
Транзистор FGH75T65SHD_F155 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 150 А Ic100: 75 А Pd25: 455 Вт
Транзистор IRGP4066D-EPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 140 А Ic100: 90 А Pd25: 454 Вт

Технічні характеристики

Производитель TRINNO
Корпус TO-3PN
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 650 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 160 А
Макс. ток коллектора (100°C) 80 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 80 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 62 / 168 нс
Мощность рассеяния при 25°C 577 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Технічна документація

Файл с описаниемФайл с описанием (972Kb)

Изображение товара

Транзистор TGAN80N65F2DS

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.
Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

З цим товаром купують: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.