ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Введите строку поиска или нажмите на значок микрофона и начните говорить.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активные компоненты ↠ Транзисторы, модули ↠ Полевые транзисторы

Новинки Все Новинки...

Рекомендуемые Все…

Код товара:
010087

Транзистор STP6NK60Z

N-ch Vds=600V Id25=6A Rds=1.2Ohm
Транзистор STP6NK60Z
Корпус: TO220
Производитель: ST Microelectronics (STM)
Товар в наличии
21,00 грн × = 21,00 грн
от 1 шт. : — 21,00 грн
от 50 шт. : — 19,42 грн ( -7,5%)
от 200 шт. : — 17,85 грн ( -15,0%)

Текущие остатки:

Магазин-Днепр
198 шт.
Для Интернет-Заказов
198 шт.

Похожие товары

Транзистор STP9NK70ZFP Корпус: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 700 V Id25: 7.5 А Rds2510V: 1 Ом VGS(th): 3 ... 4.5 V
Транзистор STP6NK60ZFP Корпус: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 6 А Rds2510V: 1 Ом VGS(th): 3 ... 4.5 V
Транзистор STP5NK60ZFP Корпус: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 5 А Rds2510V: 1.2 Ом VGS(th): 3 ... 4.5 V
Транзистор FDPF7N60NZ Корпус: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 6.5 А Rds2510V: 1.05 Ом VGS(th): 3 ... 5 V
Транзистор FDD7N60NZ Корпус: DPAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 5.5 А Rds2510V: 1.05 Ом VGS(th): 3 ... 5 V

Технические характеристики

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус TO220
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±30 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 6 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 3.8 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 1 Ом
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 3.75 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 3 ... 4.5 V
Мощность рассеяния при 25°C 110 Вт

Изображение товара

Транзистор STP6NK60Z

Описание товара format_size zoom_out zoom_in

Параметр Значение
Канал: N-Канальный
Логический уровень:
Напряжение пробоя сток-исток, Vdss: В
Cопротивление сток-исток открытого транзистора, Rds: Ом
Постоянный ток стока, при температуре = 25°C, Id А
Постоянный ток стока, при температуре = 100°C, Id А
Максимальное тепловое сопротивление кристалл-корпус, R°C/W: °C/Вт
Максимальная рассеиваемая мощность, Pd: Вт

Предлагаемые замены

Оставьте свой отзыв или задайте вопрос

Здесь обсуждается только этот товар. Комментарии не по теме будут удалены! Пожалуйста, соблюдайте Правила комментирования.

Данные, представленные в описании товара являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты с сайта производителя.
Если Вам нужна дополнительная информация, или вы обнаружили в описании ошибку, или есть другие вопросы по этому товару, то Вам поможет Евгений ЗП unknown

С этим товаром покупают: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.