ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Введите строку поиска или нажмите на значок микрофона и начните говорить.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активные компоненты ↠ Транзисторы, модули ↠ Полевые транзисторы

Новинки Все Новинки...

Рекомендуемые Все…

Код товара:
044642

Транзистор STP110N8F6

Транзистор STP110N8F6
Корпус: TO220
Производитель: ST Microelectronics (STM)
Товар в наличии
27,72 грн × = 27,72 грн
от 1 шт. : — 27,72 грн
от 50 шт. : — 24,95 грн ( -10,0%)
от 200 шт. : — 23,56 грн ( -15,0%)

Текущие остатки:

Магазин-Днепр
160 шт.
Для Интернет-Заказов
160 шт.

Похожие товары

Транзистор IRFB3307PBF Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 75 V Id25: 120 А Rds2510V: 5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRFP4410ZPBF Корпус: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 97 А Rds2510V: 7.2 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRF1607PBF Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 75 V Id25: 142 А Rds2510V: 5.8 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRFB4310PBF Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 130 А Rds2510V: 5.6 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRFP4310ZPBF Корпус: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 134 А Rds2510V: 4.8 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRF3808STRLPBF Корпус: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 75 V Id25: 106 А Rds2510V: 5.9 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRFB4310ZPBF Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 127 А Rds2510V: 4.8 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор SUM70060E-GE3 Корпус: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 131 А Rds2510V: 4.6 мОм VGS(th): 2 ... 4 V

Технические характеристики

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус TO220
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 80 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 110 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 85 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 5.6 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2.5 ... 4.5 V
Мощность рассеяния при 25°C 200 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 50 шт

Техническая документация

Файл с описаниемФайл с описанием (551Kb)

Изображение товара

Транзистор STP110N8F6

Оставьте свой отзыв или задайте вопрос

Здесь обсуждается только этот товар. Комментарии не по теме будут удалены! Пожалуйста, соблюдайте Правила комментирования.

Данные, представленные в описании товара являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты с сайта производителя.
Если Вам нужна дополнительная информация, или вы обнаружили в описании ошибку, или есть другие вопросы по этому товару, то Вам поможет Евгений ЗП unknown

С этим товаром покупают: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.