ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Введите строку поиска или нажмите на значок микрофона и начните говорить.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активные компоненты ↠ Транзисторы, модули ↠ IGBT транзисторы и модули

Новинки Все Новинки...

Рекомендуемые Все…

Код товара:
049845

Транзистор STGB19NC60KDT4

20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
Транзистор STGB19NC60KDT4
Корпус: D2PAK
Производитель: ST Microelectronics (STM)
Товар в наличии
63,00 грн × = 63,00 грн
от 1 шт. : — 63,00 грн
от 10 шт. : — 58,27 грн ( -7,5%)
от 50 шт. : — 53,55 грн ( -15,0%)

Текущие остатки:

Магазин-Днепр
22 шт.
Для Интернет-Заказов
22 шт.

Ожидается: (New)

2024-12-02 [7дн.]:
50 шт.

Похожие товары

Транзистор FGP15N60UNDF Корпус: TO220 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25: 178 Вт
Транзистор STGB15M65DF2 Корпус: D2PAK структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25: 136 Вт
Транзистор STGP19NC60KD Корпус: TO220 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 35 А Ic100: 20 А Pd25: 125 Вт
Транзистор IKW20N60T Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 40 А Ic100: 20 А Pd25: 166 Вт
Транзистор STGB20M65DF2 Корпус: D2PAK структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 40 А Ic100: 20 А Pd25: 166 Вт
Транзистор XNF15N60T Корпус: TO220F структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25:
Транзистор IRGB10B60KDPBF Корпус: TO220 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 35 А Ic100: 19 А Pd25: 156 Вт
Транзистор FGPF15N60UNDF Корпус: TO220F структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25: 42 Вт
Транзистор FGB20N60SFD Корпус: D2PAK структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 40 А Ic100: 20 А Pd25: 208 Вт
Транзистор STGF15H60DF Корпус: TO220F структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25: 30 Вт

Технические характеристики

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус D2PAK
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 35 А
Макс. ток коллектора (100°C) 20 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 20 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 31 / 50 нс
Мощность рассеяния при 25°C 125 Вт
Рабочая температура -55°C ... +150°C

Техническая документация

Файл с описаниемФайл с описанием (1330Kb)

Изображение товара

Транзистор STGB19NC60KDT4

Оставьте свой отзыв или задайте вопрос

Здесь обсуждается только этот товар. Комментарии не по теме будут удалены! Пожалуйста, соблюдайте Правила комментирования.

Данные, представленные в описании товара являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты с сайта производителя.
Если Вам нужна дополнительная информация, или вы обнаружили в описании ошибку, или есть другие вопросы по этому товару, то Вам поможет Евгений ЗП unknown

С этим товаром покупают: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.