Транзистор TGAN40N65F2DS

650V, 40A IGBT+DIODE

Корпус: TO-3PN
Производитель: TRINNO
Товар в наличии

88,20

грн

88,20

грн

от 1 шт. :	—	88,20	грн
от 10 шт. :	—	79,38	грн	( -10,0%)
от 30 шт. :	—	74,97	грн	( -15,0%)

Текущие остатки:

Магазин-Днепр

10 шт.

Для Интернет-Заказов

10 шт.

Ожидается: (New)

2024-12-16 [23дн.]:

90 шт.

Характеристики
Изображения
Документация
Отзывы-Вопросы

Технические характеристики

Производитель	TRINNO
Корпус	TO-3PN
Структура	IGBT + Diode
Схема соединения	Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер	650 V
Напряжение затвор - эмиттер	±20 V
Макс. ток коллектора (25°C)	80 А
Макс. ток коллектора (100°C)	40 А
Макс. постоянный ток диода (100°С)	40 А
Время восстановления диода (25°С/tmax)	50 / 145 нс
Мощность рассеяния при 25°C	283 Вт
Тип упаковки	Туба
Стандартная упаковка	30 шт

Техническая документация

Файл с описанием (942Kb)

Изображение товара

Оставьте свой отзыв или задайте вопрос

Здесь обсуждается только этот товар. Комментарии не по теме будут удалены! Пожалуйста, соблюдайте Правила комментирования.

Данные, представленные в описании товара являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты с сайта производителя.

Если Вам нужна дополнительная информация, или вы обнаружили в описании ошибку, или есть другие вопросы по этому товару, то Вам поможет Евгений ЗП unknown

Новинки Все Новинки...

Рекомендуемые Все…