Транзистор SGT60N60FD1PN

60A，600V，Field Stop IGBT

Корпус: TO3P
Производитель: SILAN
Товар в наличии

84,00

грн

84,00

грн

от 1 шт. :	—	84,00	грн
от 10 шт. :	—	75,60	грн	( -10,0%)
от 30 шт. :	—	71,40	грн	( -15,0%)

Текущие остатки:

Магазин-Днепр

1 шт.

Для Интернет-Заказов

1 шт.

Ожидается: (New)

2024-12-16 [25дн.]:

150 шт.

Характеристики
Изображения
Отзывы-Вопросы

Технические характеристики

Производитель	SILAN
Корпус	TO3P
Структура	IGBT + Diode
Схема соединения	Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер	600 V
Напряжение затвор - эмиттер	±20 V
Макс. ток коллектора (25°C)	120 А
Макс. ток коллектора (100°C)	60 А
Время восстановления диода (25°С/tmax)	38 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C	321 Вт
Тип упаковки	Туба
Стандартная упаковка	30 шт

Изображение товара

Оставьте свой отзыв или задайте вопрос

Здесь обсуждается только этот товар. Комментарии не по теме будут удалены! Пожалуйста, соблюдайте Правила комментирования.

Данные, представленные в описании товара являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты с сайта производителя.

Если Вам нужна дополнительная информация, или вы обнаружили в описании ошибку, или есть другие вопросы по этому товару, то Вам поможет Евгений ЗП unknown

Новинки Все Новинки...

Рекомендуемые Все…