ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Днепр   Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

УВАГА! Шановні клієнти магазину в м.Дніпро!

З 18.12.23 магазин в м.Дніпро за адресою вул.Новокримська 58 не працює.
Однак, наш інтернет-магазин відкритий для вас 24/7.
Усі місцеві замовлення можуть бути відправлені кур'єрськими службами.

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Введите строку поиска или нажмите на значок микрофона и начните говорить.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активные компоненты ↠ Транзисторы, модули ↠ IGBT транзисторы и модули

Новинки Все Новинки...

Рекомендуемые Все…

Код товара:
033404

Транзистор GT50JR22

IGBT+Diode 600V 50A
Транзистор GT50JR22
Корпус: TO-3PN
Производитель: TOSHIBA
Товар в наличии
56,00 грн × = 56,00 грн
от 1 шт. : — 56,00 грн
от 5 шт. : — 51,80 грн ( -7,5%)
от 25 шт. : — 47,60 грн ( -15,0%)

Текущие остатки:

Магазин-Днепр
160 шт.
Для Интернет-Заказов
160 шт.

Похожие товары

Транзистор IKW30N60H3 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 187 Вт
Транзистор STGWA19NC60HD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 52 А Ic100: 31 А Pd25: 208 Вт
Транзистор STGW20NC60VD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 200 Вт
Транзистор IRGP4062DPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 48 А Ic100: 24 А Pd25: 250 Вт
Транзистор IKW30N60T Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 45 А Ic100: 39 А Pd25: 187 Вт
Транзистор IRG4PC50UDPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 55 А Ic100: 27 А Pd25: 200 Вт

Технические характеристики

Производитель TOSHIBA
Корпус TO-3PN
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±25 V
Макс. ток коллектора (25°C) 50 А
Макс. ток коллектора (100°C) 44 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 40 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 350 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 230 Вт

Техническая документация

Файл с описаниемФайл с описанием (202Kb)

Изображение товара

Транзистор GT50JR22

Оставьте свой отзыв или задайте вопрос

Здесь обсуждается только этот товар. Комментарии не по теме будут удалены! Пожалуйста, соблюдайте Правила комментирования.

  • 1 09:47 09.08.2018 share

    Здравствуйте, буду благодарен за уточнение информации о производителе и качестве данного транзистора.

    Отзыв полезен?
    • sensrv (Менеджер интернет-магазина) 09:58 09.08.2018 share

      Здравствуйте. Производитель указан - Toshiba. Качество хорошее.

      Отзыв полезен?
Данные, представленные в описании товара являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты с сайта производителя.
Если Вам нужна дополнительная информация, или вы обнаружили в описании ошибку, или есть другие вопросы по этому товару, то Вам поможет Евгений ЗП unknown

С этим товаром покупают: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.