ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активні компоненти ↠ Транзистори, модулі ↠ Польові транзистори

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…

Код товара:
038898

Транзистор STP100N8F6

N-channel 80 V, 0.008 Ω typ., 100 A
Транзистор STP100N8F6
Корпус: TO220
Виробник: ST Microelectronics (STM)
Товар в наявності
25,20 грн × = 25,20 грн
від 1 шт. : — 25,20 грн
від 20 шт. : — 23,31 грн ( -7,5%)
від 100 шт. : — 21,42 грн ( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр
204 шт.
Для Інтернет-Замовлень
204 шт.

Схожі товари

Транзистор STP80NF70 Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 68 V Id25: 98 А Rds2510V: 8.2 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRF1407PBF Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 75 V Id25: 130 А Rds2510V: 7.8 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор S68N08S Корпус: TO263 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 68 V Id25: 80 А Rds2510V: 6.5 мОм VGS(th): 2.5 ... 3.5 V
Транзистор IRFB4410PBF Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 96 А Rds2510V: 8 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRFR3607TRPBF Корпус: DPAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 75 V Id25: 80 А Rds2510V: 7.34 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRFP4410ZPBF Корпус: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 97 А Rds2510V: 7.2 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRFB4410ZPBF Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 97 А Rds2510V: 7.2 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор STP75NF75 Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 75 V Id25: 80 А Rds2510V: 9.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V

Технічні характеристики

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус TO220
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 80 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 100 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 70 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 8 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 176 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 50 шт

Технічна документація

Файл с описаниемФайл с описанием (750Kb)

Изображение товара

Транзистор STP100N8F6

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.
Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

З цим товаром купують: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.