ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
028415

Transistor SiHG22N60E-GE3

N-ch Vds=650V Id25=21A Rds=0.18Ohm
Transistor SiHG22N60E-GE3
Корпус: TO247
Manufacturer: Vishay Intertechnology, Inc. (VISHAY)
In stock
147,00 UAH × = 147,00 UAH
from 1 pc : — 147,00 UAH
from 10 pcs : — 132,30 UAH ( -10,0%)
from 50 pcs : — 124,90 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
21 pcs
For Online Orders
21 pcs

Similar products

Transistor SPP20N60C3 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 20.7 А Rds2510V: 0.16 Ом VGS(th): 2.1 ... 3.9 V
Transistor SPW20N60C3 Package: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 20.7 А Rds2510V: 0.16 Ом VGS(th): 2.1 ... 3.9 V
Transistor AOK27S60L Package: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 27 А Rds2510V: 0.14 Ом VGS(th): 2.5 ... 4 V
Transistor SiHF22N60E-E3 Package: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 21 А Rds2510V: 0.15 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor SPA20N60C3 Package: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 20.7 А Rds2510V: 0.16 Ом VGS(th): 2.1 ... 3.9 V

Specifications

Производитель Vishay Intertechnology, Inc. (VISHAY)
Корпус TO247
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±30 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 21 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 13 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 0.15 Ом
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 227 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 25 шт

Изображение товара

Transistor SiHG22N60E-GE3

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.