ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
045369

Transistor IRF640NSTRLPBF

VDSS = 200V RDS(on) = 0.15Ω ID = 18A
Transistor IRF640NSTRLPBF
Корпус: D2PAK
Manufacturer: INFINEON TECHNOLOGIES AG (INFINEON)
In stock
44,10 UAH × = 44,10 UAH
from 1 pc : — 44,10 UAH
from 10 pcs : — 40,79 UAH ( -7,5%)
from 100 pcs : — 37,48 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
186 pcs
For Online Orders
186 pcs

Similar products

Transistor IRF640NPBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 200 V Id25: 18 А Rds2510V: 0.15 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRF640S Package: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 200 V Id25: 18 А Rds2510V: 0.15 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFP240PBF Package: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 200 V Id25: 20 А Rds2510V: 0.18 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRF640SPBF Package: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 200 V Id25: 18 А Rds2510V: 0.18 Ом VGS(th): 2 ... 4 V

Specifications

Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG (INFINEON)
Корпус D2PAK
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 200 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 18 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 13 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 0.15 Ом
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 150 Вт
Рабочая температура -55°C
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 50 шт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (336Kb)

Изображение товара

Transistor IRF640NSTRLPBF

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.