ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Днепр   Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

УВАГА! Шановні клієнти магазину в м.Дніпро!

З 18.12.23 магазин в м.Дніпро за адресою вул.Новокримська 58 не працює.
Однак, наш інтернет-магазин відкритий для вас 24/7.
Усі місцеві замовлення можуть бути відправлені кур'єрськими службами.

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
027631

Transistor STB6NK90ZT4

N-Channel MOSFET 900V, 5.8A, 1.56Ω
Transistor STB6NK90ZT4
Корпус: D2PAK
Manufacturer: ST Microelectronics (STM)
In stock
54,00 UAH × = 54,00 UAH
from 1 pc : — 54,00 UAH
from 10 pcs : — 48,60 UAH ( -10,0%)
from 50 pcs : — 45,90 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
130 pcs
For Online Orders
130 pcs

Similar products

Transistor STP6NK90ZFP Package: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 900 V Id25: 5.8 А Rds2510V: 1.56 Ом VGS(th): 3 ... 4.5 V
Transistor FQP6N90C Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 900 V Id25: 6 А Rds2510V: 1.93 Ом VGS(th): 3 ... 5 V
Transistor STP6NK90Z Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 900 V Id25: 5.8 А Rds2510V: 1.56 Ом VGS(th): 3 ... 4.5 V
Transistor STP7NK80ZFP Package: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 800 V Id25: 5.2 А Rds2510V: 1.5 Ом VGS(th): 3 ... 4.5 V
FQPF bipolar6N90C Package: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 900 V Id25: 6 А Rds2510V: 1.93 Ом VGS(th): 3 ... 5 V
Transistor STP7NK80Z Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 800 V Id25: 5.2 А Rds2510V: 1.5 Ом VGS(th): 3 ... 4.5 V

Specifications

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус D2PAK
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 900 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±30 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 5.8 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 3.65 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 1.56 Ом
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 3.75 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 3 ... 4.5 V
Мощность рассеяния при 25°C 140 Вт

Изображение товара

Transistor STB6NK90ZT4

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.