ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ IGBT transistors and modules

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
031090

Transistor IRGP35B60PDPBF

IGBT; 600V; 40A; 308W
Transistor IRGP35B60PDPBF
Корпус: TO247
Manufacturer: International Rectifier (IR)
NOT available.
Expected price: 199,50 UAH
from 1 pc : — 199,50 UAH
from 6 pcs : — 189,50 UAH ( -5,0%)
from 25 pcs : — 169,60 UAH ( -15,0%)
Prices are indicated at the time of product availability and may change upon receipt

Current balances:

NOT available

Similar products

Transistor STGW45HF60WD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 70 А Ic100: 45 А Pd25: 250 Вт
Transistor STGWA19NC60HD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 52 А Ic100: 31 А Pd25: 208 Вт
Transistor GT50JR22 Package: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 50 А Ic100: 44 А Pd25: 230 Вт
Transistor IKW30N60H3 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 187 Вт
Транзистор NCE30TD60B Package: TO220 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 190 Вт
Транзистор NCE30TD60BF Package: TO220F структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 35.5 Вт
Transistor STGW20NC60VD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 200 Вт
Transistor STGW40NC60WD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 70 А Ic100: 40 А Pd25: 250 Вт

Specifications

Производитель International Rectifier (IR)
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 60 А
Макс. ток коллектора (100°C) 34 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 40 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 15 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 42 / 74 нс
Мощность рассеяния при 25°C 308 Вт
Макс. частота переключения 150 кГц
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 25 шт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (353Kb)

Изображение товара

Transistor IRGP35B60PDPBF

Предлагаемые замены

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.