ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Інтернет-магазин
УКР РУС ENG
Кошик порожній!
ВХІД ДЛЯ КЛІЄНТІВ

Забули пароль?
Зареєструватися
Пошук:
arrow_drop_down
close
search Знайти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товару:
046132

Transistor HY5110NA2W

N-ch 100V 295A 2.4mΩ
Transistor HY5110NA2W
Корпус: TO247
Manufacturer: HUAYI
In stock
92,40 UAH × = 92,40 UAH
from 1 pc : — 92,40 UAH
from 10 pcs : — 83,16 UAH ( -10,0%)
from 60 pcs : — 78,54 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
7 pcs
For Online Orders
7 pcs

Expected: (New)

2024-11-28 [7дн.]:
60 pcs

Similar products

Transistor VS320N10AU Package: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 320 А Rds2510V: 2.6 мОм VGS(th): 2.6 ... 3.6 V
Transistor HYG028N10NS1P Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 230 А Rds2510V: 2.6 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor HY5110W Package: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 316 А Rds2510V: 2.1 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFP4468PBF Package: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 290 А Rds2510V: 2 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor CRSQ027N10N Package: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 273 А Rds2510V: 2.6 мОм VGS(th): 2.2 ... 3.8 V
Transistor HYG028N10NS1B6 Package: TO263-6 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 230 А Rds2510V: 2.4 мОм VGS(th): 2 ... 4 V

Specifications

Производитель HUAYI
Корпус TO247
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±25 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 295 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 208 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 2.4 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 3 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 500 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (2766Kb)

Зображення товару

Transistor HY5110NA2W

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Подивитися більше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.