ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ IGBT transistors and modules

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
039345

Transistor NGTB40N120FL3WG

IGBT 1200V 40A
Transistor NGTB40N120FL3WG
Корпус: TO247
Manufacturer: ON Semiconductor (ONS)
NOT available.
Expected price: 264,60 UAH
from 1 pc : — 264,60 UAH
from 5 pcs : — 244,80 UAH ( -7,5%)
from 30 pcs : — 224,90 UAH ( -15,0%)
Prices are indicated at the time of product availability and may change upon receipt

Current balances:

NOT available

Similar products

Транзистор NCE40TD120VTP Package: TO-247P структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 468 Вт
Transistor CRG40T120AK3S Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 278 Вт
Transistor IHW40N120R3 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 429 Вт
Transistor IKW40N120H3 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 483 Вт
Transistor IKW40N120T2 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 75 А Ic100: 40 А Pd25: 480 Вт
Transistor FGL35N120FTD Package: TO264 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 70 А Ic100: 35 А Pd25: 368 Вт
Transistor FGH40T120SMD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 555 Вт

Specifications

Производитель ON Semiconductor (ONS)
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 1.2 kV
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 80 А
Макс. ток коллектора (100°C) 40 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 80 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 40 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 86 / 136 нс
Мощность рассеяния при 25°C 454 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (265Kb)

Изображение товара

Transistor NGTB40N120FL3WG

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.