ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ IGBT transistors and modules

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
044658

Transistor IKW75N65EH5

Transistor IKW75N65EH5
Корпус: TO247
Manufacturer: INFINEON TECHNOLOGIES AG (INFINEON)
In stock
210,00 UAH × = 210,00 UAH
from 1 pc : — 210,00 UAH
from 10 pcs : — 194,20 UAH ( -7,5%)
from 30 pcs : — 178,50 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
30 pcs
For Online Orders
30 pcs

Similar products

Transistor FGH40N60UFD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт
Transistor NGTB50N60FL2WG Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 417 Вт
Transistor IKW50N65F5FKSA1 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 56 А Pd25: 305 Вт
Transistor IKW50N60TFKSA1 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 50 А Pd25: 333 Вт
Transistor FGA50T65SHD Package: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 319 Вт
Transistor IKW75N60T Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 75 А Pd25: 428 Вт
Transistor CRG40T60AN3H Package: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 280 Вт
Transistor NGTB50N60FLWG Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 223 Вт
Transistor FGH40N60SMD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 349 Вт
Transistor STGW39NC60VD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 250 Вт
Transistor MBQ60T65PES Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 100 А Ic100: 60 А Pd25: 428 Вт
Transistor IHW40N60R Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 305 Вт
Transistor CRG40T60AK3HD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 336 Вт
Транзистор TGAN40N65F2DS Package: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 283 Вт
Transistor FGH80N60FD2TU Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт
Transistor IKW50N65ES5 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 60.5 А Pd25: 274 Вт
Транзистор MPBW50N65E Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 50 А Pd25: 300 Вт
Transistor MBQ40T65QESTH Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 230 Вт
Transistor IHW40N60RF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 305 Вт
Transistor IRGP4068DPBF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 96 А Ic100: 48 А Pd25: 330 Вт
Transistor IRGP4069DPBF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 76 А Ic100: 50 А Pd25: 268 Вт
Transistor IKW50N60H3 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 333 Вт
Transistor STGW60V60DF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 60 А Pd25: 375 Вт
Transistor IKW75N60H3 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 75 А Pd25: 428 Вт
Transistor RJH60F7DPQ-A0 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 90 А Ic100: 50 А Pd25: 328.9 Вт
Transistor FGH40N60SFD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт

Specifications

Производитель INFINEON TECHNOLOGIES AG (INFINEON)
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 650 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 90 А
Макс. ток коллектора (100°C) 75 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 90 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 75 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 59 / 123 нс
Мощность рассеяния при 25°C 395 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (1975Kb)

Изображение товара

Transistor IKW75N65EH5

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown



Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.